APCVD酸化アルミニウムによるシリコン表面パッシベーションに対する前駆体ガス比と焼成の影響

高スループットのインライン常圧化学気相成長（APCVD）装置を用いて、トリメチルアルミニウム（TMA）とO₂の前駆体からアモルファス酸化アルミニウム（AlO_x）膜を合成し、ウェーハ当たり最大150 nm min^–1の成膜速度を実現しました。p型結晶シリコン（c-Si）ウェーハにおいて、APCVD AlO_x膜により優れた表面パッシベーションが達成され、標準的な産業用焼成ステップ後の最良最大実効表面再結合速度（S_eff,max）は8 cm/sでした。この結果は、膜により達成された大きな負電荷（Q_f ≈ –3 × 10¹² cm^–2）と低い界面欠陥密度（D_it ≈ 4 × 10¹¹ eV^–1 cm^–2）に帰属されます。このデータは、APCVD AlO_xが高効率・低コストの産業用太陽電池に使用される高いポテンシャルを実証しています。(© 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)