情報と価格についてはお問い合わせください
専門家のアドバイスと研究ニーズに合わせたソリューションを入手してください
超浅接合注入（USJ）計測へのジャンクション光起電力（JPV）法の適用は十分に文書化されている。本論文では、表面から電気的に絶縁された活性層を形成する注入プロセスの制御にJPV法を適用した結果を報告する。このような構造では、四探針プローブ（4PP）計測は信頼性が低いか不可能である。本論文では、CMOSプロセス（スクリーン酸化膜を通した注入とアニール）およびn型ドープ基板へのMeV p型高エネルギー注入とアニールの2つのプロセスの特性評価に最適化されたジャンクション光起電力（JPV）法を用いて得られた結果を提示する。誤差と必要な補正を考慮すると、JPV法は追加のプロセスステップなしにこのような構造の正確な高分解能マッピングを可能にする。JPV測定から得られた結果は、破壊的なオフライン分析測定ツールと相関された。