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従来のµ-PCDライフタイムマッピング技術をバルク太陽電池用Siグレード材料（インゴット、ブロック）に適用するための非常に効率的な改良方法を紹介する。記録される光伝導度減衰曲線の形状は、電子-正孔対生成に用いるレーザーの特性に強く影響される。オリジナルのレーザー構成を最適化されたセットアップに置き換えることにより、表面再結合の影響を低減でき、測定可能な減衰時間が大幅に長くなる。これにより、Siブリックの高品質部分のキャリアライフタイムをより良く特性評価することが可能になる。さらに、類似の技術とは異なり、提案されたµ-PCDの実現法はSiブリック全体にわたって比較的均一な注入レベルを提供する。実験結果とシミュレーション結果は優れた一致を示し、改良型µ-PCD技術の拡張された適用性を裏付ける。
