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意図的にCuで汚染されたSiの接触電位差（CPD）およびac表面光起電力（SPV）測定を用いて、シリコン表面上のCuの電気的発現を調査した。対応する物理モデルはCu誘起表面準位を含む。Cu誘起の負の表面電荷は、仕事関数の増加、p型Siにおける表面空乏障壁Vsbの減少、およびn型Siにおける増加として発現する。CuのSPV発現は、表面ライフタイムτsの減少である。これらの発現により、1e8 atom/cm²レベルでのCuモニタリングが可能となるはずである。しかし実際には、表面Cuのごく一部のみが電気的に活性であるため、この限界には達しない。この障害は、表面Cuを電気的に活性化しCuの寄与を分離する光学的表面処理を用いて克服される。このアプローチにより、Vsbを用いて1e9 atoms/cm²レベル、τsを用いて1e10 atoms/cm²レベルのCu検出を実証した。