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p-Si中の銅析出物の再結合活性の測定において、SPV技術とµ−PCDを比較しました。銅析出物は、室温での照射によりバルクシリコン中に形成されました。SPVで測定された銅析出物の再結合活性は、µ−PCD技術で測定された値よりも高いことが観察されました。しかしながら、銅の検出感度はSPVとµ−PCD技術でほぼ同等であると考えられます。
