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新たに成膜されたHigh-k誘電体の表面は、マイクロサイトコロナ–ケルビン計測を用いた容量等価厚さ（CET）のモニタリングにおいて、新たな課題を提起しました。具体的には、コロナ放電により堆積したイオンが、待機時間に依存する高い表面拡散係数を持つ場合があり、ケルビン電圧プローブ下の帯電スポットから電荷が拡散する原因となります。これにより、誘電体厚さの過小評価や再現性のない結果が生じる可能性があります。この問題を克服するために、点源コロナ帯電後の表面電圧過渡応答の分析に基づく速度論的アプローチを開発しました。二次元拡散方程式の数学的解により、電圧過渡応答のフィッティングが可能となり、表面拡散係数と誘電体容量の2つのパラメータの信頼性の高い決定が可能になります。後者からCETが得られます。この速度論的アプローチは、原子層堆積法により成膜されたHfO2層に適用されました。さまざまなHigh-k表面条件および膜厚に対する再現性のあるCET測定結果を示します。新規速度論的アプローチにより達成された待機時間依存性の排除は、ファブラインモニタリングにとって大きな利点です。