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光侵入深さの関数としての表面光起電力（SPV）測定から、長い少数キャリア拡散長Lを求める手順を示します。本手順は、光侵入深さよりも長い拡散長に適応した明示的なSPV公式を用います。高純度シリコンで得られた結果は、mmレンジのL値（ウェーハ厚の最大2.5倍）を非接触ウェーハスケールで測定する新たな能力を実証しています。この倍率はSPV信号測定の精度を向上させることで増大可能です。本手順は、拡散長がウェーハ厚の約70%に制限されていた従来のSPV法の根本的な制約を持ちません。