ディープトレンチ構造により発生した結晶欠陥の室温マイクロフォトルミネッセンスイメージング

シリコン中のディープトレンチ（DT）は機械的応力の発生源であり、最終的に結晶欠陥の形成につながる可能性があります。本研究では、室温マイクロフォトルミネッセンスイメージングがDTにより発生した埋め込み欠陥の非破壊インライン監視に適用できることを示します。自動画像セグメンテーション用の畳み込みニューラルネットワークのトレーニングにより、画像解析が自動化され、大面積の検査が可能になります。さまざまな間隔と多重度を持つDT構造の分析から、DTの相互間距離が欠陥発生を支配する主要因であることが明らかになりました。最後に、ステップバイステップの分析により、欠陥発生の原因となるステップと、プロセスフローに沿ったさらなる欠陥密度の増加を検出することが可能になります。