電荷アシストKFMおよびUVフォトルミネッセンスによる4H-SiC中の歩留まりキラー欠陥の電気的活性のマイクロスケールイメージング

本研究では、エピタキシャル4H-SiCウェーハにおける歩留まりキラー欠陥の非接触電荷電圧イメージングとUVフォトルミネッセンス（UV-PL）イメージングを比較します。マクロスケールおよびマイクロスケールのイメージングに基づく2つの重要な知見があります。1- ウェーハ全体の画像は、三角形、落下物、キャロットカテゴリーのUV-PL欠陥のうち、電気的に活性なものはごく一部であることを示しています。2- マイクロスケールの画像は、PLと電気的欠陥画像の類似点と相違点を明らかにしています。初めて報告される三角形欠陥内のマイクロメートル分解能のリーク電流パターンは、参考文献1の微細構造モデリングと一致しています。結果は、キラー欠陥内の空乏層リーク電流が露出した3C-SiCポリタイプに対応することを示唆しています。このリーク電流は、4H-SiCの3.3eVと比較して3C-SiCのエネルギーギャップが2.2eVと低いことに起因する可能性があります。