4H-SiCエピタキシャル層におけるマイクロ波光導電減衰マッピングとライフタイムの研究

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ICSCRM）は、SiC、窒化ガリウム（GaN）およびその他の関連ワイドバンドギャップ半導体の新しい研究成果を議論し、真の最先端技術を評価するための主要なフォーラムとなっています。

半導体材料科学と技術は、現在の電子・光デバイス技術の優れた性能を支える確固たる基盤を提供してきました。

一般に2.9eVを超える電子バンドギャップを示す材料として定義されるワイドバンドギャップ半導体は、今後多くの年にわたりデバイス性能のさらなる向上を推進できる材料として台頭しています。

SiCは数十年にわたり研究されてきましたが、最近の発展により光学、RF、パワーコンポーネントにおける商用製品が確立されました。この分野における継続的な研究により、SiCベースのデバイス技術の急速な開発タイムラインが確実に進展します。

‍