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プロセス温度、幾何学的自由度、および不純物制御に対する必要な制約により、IC製造におけるプラズマ処理（すなわち「ドライ」プロセス）の使用は継続的に増加してきました。プラズマ処理の基盤を形成するガス放電は、異方性エッチング、誘電体成膜、およびイオン注入などのプロセスを可能にし、または促進するユニークな物理的・化学的特性を示します。
プラズマ技術は非常に支配的となり、それなしでは現在および今後のほとんどの世代のICデバイスを製造することは不可能です。しかしながら、デバイス寸法が微細化されるにつれ、プラズマ処理によるいかなるダメージも増大する懸念事項となります。観察されている有害な影響には、電荷蓄積によるゲート酸化膜損傷およびエッチングプロファイルの歪み[1, 2]、酸化膜およびシリコンの汚染（特に重金属による）[3]、ならびにプラズマ放射による酸化膜、Si-Si[O.sub.2]界面および下層シリコンへの損傷[4]が含まれます。