シリコンウェーハにおける少数キャリア拡散長および表面再結合速度の高精度測定のための新しい表面光起電力（SPV）法

掲載誌: Proceedings of ALTECH 95, vol. 95-30, pp. 73-82

年: 1995

著者: V. Faifer, P. Edelman, A. Kontkiewicz, J. Lagowski, A. Hoff, V. Dyukov, A. Pravdivtsev, I. Kornienko

surface photovoltageMinority Carrier Diffusion Lengthsurface recombination velocitySilicon (Si)

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