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パワーデバイスやCMOSイメージセンサーを含む多くのMore-than-Moore（MtM）デバイスは、Silicon-on-Insulator（SOI）ウェーハを使用しています。非接触容量-電圧（CV）測定およびフォトルミネッセンス測定は、バルクSiウェーハ上の誘電体および少数キャリア寿命の特性評価において確立された手法です。本研究では、これらの測定をMore-Than-Moore（MtM）Silicon-On-Insulator（SOI）デバイスウェーハに拡張します。