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この非接触high-kモニタリング技術は、コロナ帯電と接触電位差（CPD）測定を組み合わせた時間分解計測から生成される微分準静的C-Vに基づいています。この技術は、サブナノメートル範囲までの超低等価電気的酸化膜厚（EOT）に対応する大きな誘電体容量の抽出に必要な高電界範囲（10MV/cm）での測定を可能にする相互コンダクタンス補正を組み込んでいます。また、フラットバンド電圧VFB、界面トラップスペクトルDIT、および全誘電体電荷dQTOTのモニタリング手段も提供します。この技術は、MOS C-V測定だけでなく水銀プローブC-Vの代替としても位置付けられています。微分コロナC-VによるEOT測定は、水分吸着や分子性空気汚染（MAC）の影響を受けないため、光学的手法に対して大きな優位性を持っています。これらの影響は、超薄膜誘電体の光学計測において問題となっていました。提示された結果は、Si‐O‐NおよびHfO2を含む最先端ゲート誘電体への本技術の適用を示しています。