エピタキシャルSiCにおける非接触ドーピングプロファイリング

シリコンカーバイドエピタキシャル層におけるドーピング濃度およびドーピング深さプロファイルを決定する、非常に高速で非接触かつ前処理不要の手法を提案します。本手法は、最近特許取得されたQ²-V技術の拡張です。大気中コロナ放電を用いて、精密に制御された電荷量ΔQₑでエピ表面を帯電させます。コロナ帯電後、振動プローブを用いて表面電位Vの非接触測定を行います。帯電と測定のステップを連続して行うことで、均一ドーピングの場合に線形関係を満たすQ²-Vプロットが得られます。不均一ドーピングの場合は、微分容量法と同様の微分dQ²/dVから深さプロファイルが得られます。