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コロナ-ケルビン計測技術は、テスト接合やショットキーダイオードの作製なしに、エピタキシャルGaN、SiCおよびヘテロエピタキシャルAlGaN/GaNの高精度非接触電気的特性評価を実現することに成功しました。定表面電位電荷堆積法を用いて、ND=2.9e17cm-3のn型GaNで0.05%の標準偏差、ND=9.0e15cm-3のn型SiCで0.1%の標準偏差という優れたドーパント再現性が実証されました。AlGaN/GaNについては、標準的な水銀プローブCV（MCV）測定と優れた相関を持つコロナ-ケルビン2DEGプロファイリングが実証されています。さらに、この新しい電荷ベース技術は、「charge to depletion」を用いた2DEGシート電荷の独自の定量化を実証しています。酸化GaNの結果は、Ditスペクトロスコピーを含む界面特性評価を示しています。