低ドーズ・低エネルギーイオン注入の非接触インラインモニタリング

超大規模・ギガスケール集積化に伴うサイクルタイムとコストの要求が、すべてのプロセス領域にわたるコスト効率の高い、高速かつ高精度なインライン特性評価技術の必要性を高めています。本研究では、低ドーズ（<1.0E12 cm/sup -2/）および低エネルギー（<10 keV）イオン注入モニタリングを含む次世代非接触ツールの機能について論じます。これらの条件下では、従来のThermawave法やシート抵抗法は、イオン注入モニタリングに確実に使用するには感度が不十分です。具体的には、Quantox表面光起電力（SPV）、SDI近表面ドーピング（NSD）、およびキャリアイルミネーション（CI）測定が実施されました。低ドーズ（<1E12 cm/sup -2/）の調査は、CMOSデバイスのしきい値電圧の定義に使用されるボロン注入に焦点を当てました。1～13 keVのエネルギー範囲のボロン注入を用いて、低エネルギー性能をモニタリングする各技術の能力も調査しました。これらの測定は非破壊的であり、パターンウェーハ上でも実施できる可能性があるため、インラインイオン注入モニタリングへの活用が期待されます。