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非可視欠陥（NVD）は、電気的不良を引き起こすものの、目視ウェーハ検査装置では検出されない半導体材料およびプロセス起因の欠陥カテゴリです。本論文では、標準的なmm分解能のケルビンプローブ表面電圧マッピングによる高速ウェーハ全面検査を用いた非接触電気的NVD計測技術の概要を紹介します。先進的なアプローチでは、力ケルビンプローブ顕微鏡法を用いて検出されたNVDを高分解能（μmレンジ）でマッピングします。詳細なNVD特性評価は、欠陥サイトにおける誘電体および界面特性を定量化するコロナ-ケルビン法によって行われます。この特性評価は非侵襲的なフルエンス範囲のコロナ帯電で実施され、すべての測定は非接触であり、テストデバイスの作製を必要としません。シリコンIC、シリコン太陽電池、およびワイドバンドギャップエピタキシャルSiCに関連する事例により、幅広い応用範囲が実証されています。