ワイドバンドギャップウェーハ製造向け高スループット・高精度非接触ドーピング測定

コロナ帯電表面電圧CnCV技術の改良に基づく、ワイドバンドギャップ半導体における非接触ドーピングモニタリングの新しいアプローチを提案します。このアプローチは、測定の高速化と、一般的な12サイト測定パターンで毎時20枚のウェーハスループットの達成を目指しています。このような高速化された測定（現行CnCVの5倍高速）は、0.1～0.2%の高精度で実施されます。測定速度を向上させるための鍵となる要素は、ワイドバンドギャップ材料に特有の深い空乏状態におけるコロナ帯電バイアスの光誘起制御の開発です。このアプローチは、ベア表面を持つワイドバンドギャップ半導体に適用可能です。この新しいドーピング測定を実証する具体的な結果が、エピタキシャル4H-SiCについて提示されます。