標準C-Vでは不可視の深いトラップを持つワイドバンドギャップ界面の光アシストコロナ電荷特性評価

ワイドバンドギャップ半導体技術は、パワーエレクトロニクスにおける根本的な優位性により大きな注目を集めている。界面特性の理解と効果的な制御は、進歩が求められる重要な課題群に属する。本研究では、深い空乏状態におけるコロナ電荷バイアスにより生成された非平衡条件下での深いトラップの光イオン化を用いて達成された、ワイドバンドギャップ界面特性評価の進展を報告する。この特性評価能力は、標準C-Vでは不可視の深い界面トラップを有する酸化n型エピタキシャルSiCにおいて実証された。これらのトラップは当初高密度で存在していたが、ウェットアニール後に半減することが示された。光イオン化技術は、市販の非接触C-V（CnCV）計測装置[1,2]に組み込まれており、開発研究およびデバイス製造の両方に有益な非侵襲的でコストと時間を節約する計測を提供する。