情報と価格についてはお問い合わせください
専門家のアドバイスと研究ニーズに合わせたソリューションを入手してください
イオン注入シリコンのモニタリングのために、表面光起電力効果（SPV）に基づく光電測定法が開発された。主要なインプラント相関を説明する現象論的モデルが提案された。本手法のインプラントドーズ量およびエネルギー感度のメカニズムが特定された。
