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従来のマイクロ波光コンダクタンス減衰（MW-PCD）測定と組み合わせたインラインフォトルミネッセンスイメージングの新しい実現について報告する。同時MW-PCDライフタイム測定は、CCDまたはCMOSカメラで撮影したPL画像を高分解能キャリアライフタイムマップに変換するフォトルミネッセンスイメージング測定のインサイチュキャリブレーションとして機能する。本研究では、アズカット多結晶シリコンウェーハの検査へのPLI法の適用に焦点を当てている。アズカットウェーハの表面状態のばらつき（特にソーダメージ領域の特性）は、バルクの電気的品質ではなくダメージ領域の実際の特性に依存する制御されないPL信号レベルを引き起こす可能性がある。表面層のエッチング除去によりPL信号は2～3倍増加する場合がある。ダメージ領域がMW-PCD過渡応答の振幅に影響を与えるものの、減衰曲線から評価されたライフタイムは表面ダメージ領域の特性とは独立であることを示す。したがって、実際のアズカットウェーハでMW-PCDにより測定されたライフタイム値をPL画像のキャリブレーションの基準として使用することで、得られたPLIライフタイムマップは表面ダメージ層とは独立となる。