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圧電分極パルスに対する表面電圧応答をケルビンプローブにより測定し、分極誘起シート電荷および2DEGのダイナミクスを調査するための独自の手段を提供する。蓄積から深い空乏状態までのコロナ蒸着電荷による表面バイアスおよび対応する非接触C-V型特性評価と組み合わせることで、本技術は表面バンドベンディングおよび界面トラップが圧電分極の大きさと時間減衰に影響する主要因子であることを特定する。2DEG構造では、2DEGが完全に占有されている場合に表面ポテンシャルのピニングが観察される。負のコロナ帯電により2DEGを完全に空乏化することでピニングは解除される。これらの結果は表面準位の役割と一致する。本研究で実証された分極変調およびウェーハスケール測定は、AlGaN/GaN 2DEG構造の詳細な特性評価と基礎的理解に影響を与えるものである。