Elastic Metal Gate（EM-gate）を用いた超浅チャネルインプラントのプロダクトウェーハモニタリング

ディープサブミクロン金属-酸化物-半導体（MOS）電界効果トランジスタ（MOSFET）において最も重要なパラメータはしきい値電圧（VT）です。デバイスのVTはプロセスに大きく依存しており、特にイオン注入によるチャネルドーピングプロファイルに左右されます。プロダクトウェーハ上でのチャネルドーピングのモニタリングは非常に望ましく、プロセスエンジニアにとって重要な課題です。本論文では、非汚染・非破壊の小径金属コンタクトに基づく、プロダクトウェーハ上でのチャネルキャリア密度プロファイル、ドーズ量およびVTの高感度・高精度測定技術について述べます。