シリコンウェーハにおけるQSS-μPCDライフタイム測定：利点と新たな応用

本論文では、シリコン太陽光発電向けのマイクロ波光導電減衰（μPCD）ライフタイム測定の一方式を紹介します。この方式により、キャリア減衰ライフタイムτ_effと注入レベルΔnの同時測定が、1 sunを含む広範な定常状態生成範囲にわたるスキャン能力とともに実現されます。QSS-μPCDと呼ばれる本μPCD方式は、改良型バイアス光PCDです。準定常状態生成Gのスキャンと、任意のGに対するパルスレーザーμPCDによるパラメータフリーの!!""測定を組み合わせています。準定常状態光導電（QSSPC）手順を逆転させることにより、注入レベルはΔn = Gτ_effとして決定されます。これは、絶対光導電校正やキャリア移動度の値を必要とせずに初めて達成されました。さらに、このアプローチにより、指数関数的過渡現象を得るための最適条件の調整や、トラッピングおよび空間電荷伝導度変調からの干渉の除去が可能になります。τ_effとΔnの同時測定という独自の利点により、エミッタ飽和電流J₀測定のためのKane-Swanson法の使用が可能になります。空間分解μPCD機能を使用したJ₀のマッピングを実証しています。