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マイクロ波光導電減衰（μ-PCD）法と表面光起電力（SPV）法は、半導体バルク材料の評価において強力な手法であることが実証されています。これらの手法は、均質な材料品質を持つ標準ウェーハに対して最も効果的に適用されます。しかし、エピタキシャル層（エピ）ウェーハやシリコン・オン・インシュレータ（SOI）構造の測定においては、いずれの手法にも限界があります。従来の実装では、SPV測定は活性層の厚さによって制限されます。一方、高濃度ドープ基板上に成長させたエピ層は、通常μ-PCD測定において十分な信号を生成できません。
