マイクロ波光導電減衰法を用いた酸化p型シリコンウェーハにおける銅の定量測定

マイクロ波光導電減衰（μ-PCD）技術を用いたp型シリコン中の微量銅汚染の測定方法を提案します。本方法は、高強度光によって活性化される格子間銅の析出に基づいており、少数キャリア再結合活性の増大をもたらします。μ-PCD測定と過渡イオンドリフトおよび全反射蛍光X線測定との比較により、増大した再結合速度とCu濃度との間に定量的な相関があることを示します。結果は、本方法が1010cm−3までのCu濃度を測定可能であることを示しています。酸化ウェーハ表面にコロナ電荷を使用すれば、銅の外方拡散が防止されるため、ウェーハの保管時間に制限はありません。酸化物析出物が銅の析出およびキャリア再結合プロセスの両方において果たす役割について簡潔に議論します。