多接合太陽電池用n型およびp型ドープGaInP、AlInPおよびAlGaInPの屈折率と消衰係数

p型、n型および名目上アンドープの(Al_xGa_1−x)_yIn_1−yP層の光学特性が広いスペクトル範囲で測定されました。研究対象の層は、III-V族多接合太陽電池への利用に有用な組成とドーパント濃度を持つものが選択されています。これらの層は可変角分光エリプソメトリーで測定され、組成やドーピングに関わらず、2つの非対称Tauc-Lorentzオシレーターと3D-M₀ Adachi項からなる同一のモデル誘電関数を用いて光学応答がモデル化されました。結果は、遷移エネルギー値が層の組成によって変化する一方、同一材料（すなわちGaInPまたはAlInP）の層ではバンドギャップ遷移エネルギーE₀が秩序パラメータに強く依存することを示しています。エリプソメトリーデータから導出された屈折率と消衰係数を用いて同一層の反射率測定のフィッティングが行われ、優れた一致が得られたことで、この種の材料に提案されたモデル誘電関数の妥当性が検証されました。