シリコンエピタキシャル層の再結合および生成ライフタイム評価

p/sup +/およびp基板上のシリコンpエピタキシャル層における再結合および生成ライフタイム測定を行いました。数ミクロン厚の層では、再結合ライフタイムは表面/界面再結合によって支配されます。p/pの測定値とp/p/sup +/サンプルの測定値を組み合わせることにより、エピタキシャル層のライフタイムを抽出することが可能です。p/p/sup +/サンプルの場合、再結合ライフタイムはエピタキシャル層の評価には適していません。一方、生成ライフタイム測定はエピタキシャル層の評価に非常に適しています。これは、キャリア生成がエピタキシャル層内に限定された空間電荷領域で起こるためであり、コロナチャージ/ケルビンプローブと組み合わせることで非接触測定が可能になります。

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