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業界が65nmおよび45nmデバイスの新技術ノードに移行するにつれ、イオン注入モニタリングはデバイス性能の一貫性にとってさらに重要になっています。一般的な手法として、4探針プローブによるシート抵抗測定とサーマルウェーブ技術によるイオン注入ダメージの測定が使用されてきました。しかし、両技術とも感度に限界があります。イオン注入プロセスにおけるより微小な変動をモニタリングする必要性から、イオン注入モニタリングに対する新しいより優れたアプローチが求められています。