高電子・ホール移動度のためのSn注入による表面歪みGe-Czウェーハ

Si上のGe-epiウェーハは>1E7/cm2のTDDを含み、接合リーク電流を劣化させ、移動度も低下させる可能性があります。そこで、Ge-epi TDDのないGe-Czウェーハを代替として使用することを検討し、最大16%までの表面Sn注入がXRDで測定される表面引張歪みGeを誘起し、上部30nmのnウェル表面層の移動度（μe）を500cm²/Vsから最大1250cm²/Vsへ2.5倍向上させることを確認しました。しかし、表面引張歪みGeは上部30nmのpウェル表面層の移動度（μh）を3000cm²/Vsから800cm²/Vsへ73%低下させ、表面バルク移動度も1850cm²/Vsから480cm²/Vsへ74%低下させました。