超低エネルギー（ULE）イオン注入ドーズ量および活性化モニタリング

本論文では、プローブ貫通の影響を受けずに四探針シート抵抗を正確に測定するために新たに開発された技術について説明します。また、電気的に活性な表面ドーパント密度（NSURF）を、非貫通・非損傷・非汚染の単一EMプローブで直接測定します。2種類のEMプローブが利用可能です。一方は容量-電圧（CV）用、もう一方は電流-電圧（IV）用です。EMプローブ四探針法はソース-ドレインエクステンション（SDE）構造およびp/n超浅接合（USJ）構造を測定できることがわかりました。従来の四探針法は約30〜40 nm以深に限定されていました。ドーズ量およびシート抵抗の変動は、イオン注入およびアニールプロセスに関する有益な情報を明らかにし、強力な評価ツールとなると考えられます。