PMR-C技術を用いたSiおよびSiCウェーハにおけるイオン注入プロセスの多目的モニタリング

光変調反射率（PMR）技術は、Siウェーハにおけるイオン注入プロセスの監視に広く利用されており、SiCウェーハに適用可能なツールがSemilab Ltd.において継続的に開発されています。本研究では、主にイオン注入されたSiCウェーハの監視を目的として設計されたSemilab PMR-2200Cデバイスによる測定結果を報告します。さらに、同デバイスはイオン注入されたSiウェーハの効果的な監視にも適しています。適切な測定条件下では、SiCおよびSiの両方において、広いドーズ範囲にわたりPMR信号と注入ドーズ（すなわちダメージ量）の間に単調な傾向が観察されます。したがって、PMRは注入直後のウェーハに対する高スループットプロセス監視のための効果的な非破壊・非接触ツールです。