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ワイドバンドギャップ（WBG）半導体は、従来の半導体とは異なります。より大きなバンドギャップを持ち、より高い電力効率、小型化、軽量化、全体的なコスト削減といった大きなメリットを提供します。窒化ガリウムや炭化ケイ素などの化合物材料は、先進的で使いやすいパワーデバイス、超高周波無線デバイスなどの製造を可能にする優れた利点を備えています。これらの用途は、民生用途向けの充電器やアダプターに使用されるエレクトロニクスから、EV充電、テレコム、SMPS、ソーラー、産業用途向けのバッテリーフォーメーション、さらに車載充電やオンボード充電および高電圧から低電圧へのDC-DCコンバーターにまで及びます。
化合物半導体は優れたイノベーションを可能にしますが、GaNやSiCを扱う際には特定の光学的・電気的特性の測定が重要であるため、そのメトロロジーには新しいソリューションが必要です。
WBG産業の急速な発展には、最新の技術進歩に対応できるメトロロジーソリューションが求められます。信頼性の高い生産のためには、組成と欠陥、ドーパント濃度、電気的・光学的品質を定期的にモニターする必要があります。Semilabは、デバイスの特性や性能に直接関連する特性を明らかにするため、幅広い非接触・非破壊メトロロジー手法を活用した複数の製品を提供しています。
当社の最高レベルのシステムは、幅広い技術を用いて、材料の抵抗率、膜厚、組成、モビリティに関する正確なメトロロジーデータを提供します。
例えば、MBM-2201システムは、マイクロ波反射率を用いた正確な非接触測定をメーカーや研究者に提供するために開発されました。
化合物半導体キャラクタリゼーションおよびMBM製品ファミリーの詳細については、インフォグラフィックをご覧いただき、以下のリンクからお読みください：