마이크로 스팟 코로나-켈빈 방식을 활용한 SiC의 도핑 측정에 대한 새로운 접근 방식

본 연구에서는 마이크로 스케일 시간 분해 코로나-켈빈 기법을 기반으로 SiC의 도핑 농도를 측정하는 새로운 접근 방식을 제안합니다. 이 방법에서는 SiC 표면을 공핍 상태로 만들기 위해 마이크로 크기의 코로나 스팟 내에서 코로나 충전을 수행하고, 켈빈 포스 마이크로 프로브를 사용하여 스팟 중심에서의 표면 전압 감쇠를 측정합니다. 전압 감쇠는 표면 확산에 따른 전하 소멸에 의해 발생하며, 프로브 하에서의 전압-전하 스캐닝과 유사한 거동을 보입니다. 본 연구에서는 2차원 전하 확산 해석을 통해 두 가지 파라미터, 즉 (1) SiC 에피택셜 층의 도핑 농도와 (2) SiC 표면에서의 코로나 이온 확산 계수를 도출합니다. 본 연구에서 제시한 마이크로 스팟 코로나-켈빈 기법은 마이크로 스케일에서의 도핑 균일성 평가와 SiC 생산 웨이퍼의 소면적 측정에 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다.

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