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비접촉식 C-V 기법은 최근 와이드 밴드갭 반도체에 대한 정확하고 비용 및 시간 효율적인 계측으로 주목받고 있습니다. 기존에는 도핑 측정에 주로 활용되었으나, 현재는 전력 장치의 미래에 중요하게 여겨지는 복잡한 신뢰성 문제를 포함하여 와이드 밴드갭 반도체의 표면 및 계면 특성 평가로 그 적용 범위가 확대되고 있습니다. 이 연구에서는 평탄대 전압 VFB 및 정전용량 CFB를 결정하기 위한 새로운 직접 측정 방법의 개발 성과를 보고합니다. 또한, n형 산화 에피택셜 4-H SiC에 대한 실험 결과가 제시됩니다. 이는 계면 트랩 밀도 Dit를 포함한 주요 전기적 파라미터 전체를 일관되게 도출할 수 있는 본 접근법 및 고유한 자기일관 측정의 유효성을 보여줍니다.