Si(111) 시료에 대한 광산란 단층 촬영의 적용

초크랄스키(Czochralski) 방식으로 성장된 실리콘(Si)〈100〉 웨이퍼에서 대량의 미세 결함을 검출하는 것은 웨이퍼 품질 관리에 있어 매우 중요합니다. 광산란 단층촬영(LST)은 이러한 목적을 위한 업계 표준 기법입니다. 이 광학 비접촉 계측에는 파괴적 시료 준비 과정을 필요로 하며, 시료를 반으로 절단해야 합니다. 이 기법의 특징 중 하나는 조명부와 조명 검출부 부분(현미경 장치)을 분리하여 달성되는 암시야 검출 방식입니다. 시료의 전면에 조명을 가하고, 결함에서 산란된 빛은 절단된 표면을 통해 수집됩니다. 이 기법은 절단면이 전면과 수직을 이루어야 하는데, 이는 Si(100) 웨이퍼에서 충족됩니다. 그러나 Si(111) 웨이퍼의 경우, 절단면은 전면에 대해 수직이 아니라 약 70.5°의 각도를 가지게 됩니다. 다행히도 검출부를 적절한 각도로 기울여 표준 LST 시스템을 수정함으로써 Si(111) 시료의 측정이 가능해집니다. 다행히도 표준 LST 시스템은 검출부를 적절한 각도로 기울이도록 수정할 수 있으며, 이를 통해 Si(111) 시료의 측정이 가능합니다. 본 논문에서는 이러한 새로운 기법을 상세히 제시하고, 새롭게 설계된 시스템의 구조와 측정 성능을 설명합니다. 측정 결과는 적절한 시료 전처리 후 동일한 시료에 대해 수행한 표준 LST 측정과의 직접 비교를 통해 검증합니다.