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본 논문에서는 첨단 게이트 유전체에 사용되는 플라즈마 질화 공정으로 형성된 실리콘 산질화물의 전기적 특성을 모니터링하기 위해 마이크로 코로나-켈빈 계측을 적용하는 사례를 보여줍니다. 논의할 주요 측정 파라미터는 유전체 정전용량 등가 두께(CET), 가전자대 터널링 범위(VB)의 유전체 전압, 계면 트랩 전하(Qit) 및 평탄대 전압입니다.
