플라즈마 질화 SiO2의 특성 분석을 위한 비접촉 코로나-켈빈 계측 적용

본 논문에서는 첨단 게이트 유전체에 사용되는 플라즈마 질화 공정으로 형성된 실리콘 산질화물의 전기적 특성을 모니터링하기 위해 마이크로 코로나-켈빈 계측법을 적용하는 사례를 보여줍니다. 논의할 주요 측정 파라미터는 유전체 정전용량 등가 두께(CET), 가전자대 터널링 범위(VB)의 유전체 전압, 계면 트랩 전하(Qit) 및 평탄대 전압입니다. 음의 극성 터널링 조건은 유전체 가전자대 특성을 평가하는 지표로 사용됩니다. Si3N4와 SiO2 간의 큰 가전자대 오프셋 차이를 활용하여, 이러한 터널링 측정을 SiON 유전체 내 질소 함량을 매우 민감하게 분석하는 데 적용합니다.