Ge 나노결정이 내장된 MNOS 구조의 충전 거동

SiO₂/Si₃N₄ 계면에 매립된 Ge 나노결정을 포함하는 MNOS 구조의 충전 거동이 나노결정이 존재하는 구조와 존재하지 않는 구조에 대해 각각 질화막의 전도대 및 가전자대로의 전자와 정공의 터널링 확률을 계산하고 실험을 통해 연구되었습니다. 나노결정이 없는 MNOS 구조에서 충전 거동은 2~3nm의 산화물 두께에서 최적의 충전 특성이 나타나는 것으로 확인되었습니다. SiO₂/Si₃N₄ 계면에 존재하는 반도체 나노결정은 낮은 전기장에서 얇은 산화막(2~3nm)을 갖는 구조에 대한 전자와 정공의 터널링 확률을 크게 증가시키지만 높은 전기장에서 구조의 충전 거동에는 영향을 미치지 않습니다. 계산 결과는 Ge 나노결정을 포함한 MNOS 구조에서 얻어진 실험 결과와 일치합니다. (© 2012 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)