게시 위치: Junction Technology, 2007 International Workshop on, pp 47-48
년도: 2008
저자: R.J. Hillard, C. Win Ye, M.C. Benjamin, K. Suguro
probesElectrical resistance measurementTestingSolid state circuitsMOSFETsannealingShapeContactsCapacitance-voltage characteristicsCharge carrier density
복잡한 포아송 기반 보정 없이 USJ 구조의 활성화된 도펀트 프로파일링을 제공할 수 있는 새로운 기술이 개발되었습니다. 이 기법은 두께가 25nm에 불과한 USJ 층에도 적용 가능함이 입증되었습니다. 이 측정 기법의 가치는 이동도 변화를 고려하지 않고 전기적으로 활성화된 도펀트에 집중할 수 있다는 것입니다. 프로파일의 모양이 장치 성능에 영향을 미칠 수 있으므로 이 측정을 통해 최적의 프로세스 개발이 가능해집니다.