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태양전지와 반도체 장치의 성능 향상을 위해서는 효과적인 표면 세정이 중요하다는 것이 오래전부터 인식되어 왔습니다. 본 연구에서는 업계 표준 RCA 및 UV 보조 탈이온수(DiO3) 기술과 비교하여 간단한 자외선 오존(UVo) 공정을 통해 결정질 실리콘 표면 세정의 효과를 제시했습니다. UV 오존 세정은 단순한 공정임에도 불구하고 RCA 및 DiO3 세정과 유사한 수준의 효과적인 표면 패시베이션 성능을 나타냅니다. 즉, 포화 전류 밀도(J0)는 7fA/cm2로, 각각 5fA/cm2 및 8fA/cm2비교할 수 있는 수준입니다. 표면 세정 외에도, UVo 및 DiO3 산화물 모두 결정질 실리콘 기판에 대해 고품질의 화학적 패시베이션으로 사용될 수 있지만 UVo 산화물은 DiO3 산화물보다 향상된 패시베이션을 제공한다는 점을 제시했습니다. 더 나아가, 실리콘과 산화알루미늄 또는 질화규소 계면 사이에 UVo 산화물을 삽입하면 UVo 산화물이 없는 계면에 비해 J0가 >50% 감소됩니다.