다결정 실리콘 웨이퍼의 광 유도 열화에 대한 인 및 보론 확산 게터링의 영향

다결정 실리콘(multi-Si)은 현재 결정질 실리콘 태양전지에 가장 널리 사용되는 재료입니다. 고성능(HP) 다중 Si를 사용하여 셀 효율이 크게 향상되었지만 이 재료로 제작된 PERC(부동태 방출체 및 후면 셀) 장치는 강한 LID(광 유도 열화) 문제를 겪고 있습니다. 본 연구의 목적은 확산 게터링을 사용하여 HP 다중 Si 웨이퍼에서 LID를 줄일 수 있는 가능성을 조사하는 것입니다. 유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 사용하여 서로 다른 확산 조건을 적용한 시스터 시료의 불순물 농도를 측정했습니다. 결과는 800°C에서 50-Ω/sq POCl₃ 확산과 60-Ω/sq BBr₃ 확산이 불순물을 효과적으로 게터링할 수 있음을 보여주었습니다. 표면 광전압 측정을 사용하여 격자간 Fe(Fe_i) 및 광유도 결함 농도를 게터링 전후에 측정했습니다. 시료를 80°C에서 24시간 동안 열화한 후, 인 확산 게터링을 수행한 HP 다중 Si 웨이퍼에서 광 유도 결함 농도가 가장 낮게 나타남을 확인했습니다. 보론 확산 게터링을 적용한 시료 역시 확산 처리를 하지 않은 시스터 시료에 비해 LID가 감소함을 보였습니다.