실리콘의 전기화학적 에칭 및 프로파일링

낮은 불화물 함량(≤ 0.1 mol dm^-3)을 갖는 완충 전해질에서 높은 양극 분극 하에서 실리콘의 용해 거동을 연구하여 실리콘 구조의 깊이 프로파일링에 적합한 에칭 조건을 도출하였습니다. 연구 결과, 전해질 조성, pH, 그리고 용해 전위를 엄격하게 선택함으로써 실리콘의 유효 용해 원자가 반도체 특성에 의존하는 정도를 최소화할 수 있음을 보입니다.

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