제품 정보 및 가격 문의
연구 요구에 맞춘 전문가 상담과 맞춤형 솔루션을 받아보세요
약 3년 전에 도입된 실리콘 광전용 다기능 계측 플랫폼은 고성능 태양전지에서 PV 이미터의 표면 재결합과 이에 따른 패시베이션에 영향을 미치는 다양한 전기적 파라미터의 중요성을 입증하는 실험 데이터를 제공해 왔습니다. 본 논문에서는 여러 전기적 특성을 매핑하여 얻을 수 있는 고유한 기능을 간략하게 설명합니다. Al2O3로 패시베이션된 Si 및 a-Si/SiNx 헤테로 계면에 대한 계면 트랩 밀도 데이터가 제시됩니다. 또한, 해당 다중 파라미터 데이터의 예시를 통해 표면 재결합이 실리콘 공간 전하 장벽, 계면 트랩된 전하, 유전 전하의 값에 따라 증가하거나 감소할 수 있음을 보여줍니다. 이미터 구조의 경우 후자의 효과는 전계 효과 패시베이션의 효율성과 이미터 포화 전류 J0의 값을 결정합니다. 본 논문에서 검토한 결과는 Dit가 높거나 J0 전계 효과 포화도가 낮은 유전 전하 값을 갖는 결함 웨이퍼 영역을 제거함으로써 태양전지 효율성을 향상시킬 수 있는 잠재적인 경로를 보여줍니다. 이러한 측면에서 웨이퍼 매핑 접근 방식은 다중 시료 준비 및 단일 지점 측정과 관련된 연구에 비해 실질적인 이점을 제시합니다.