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본 연구에서는 첨단 DRAM 생산 웨이퍼의 액티브 커패시터 셀 영역에 형성된 ZrO2/Al2O3/ZrO2(ZAZ) 유전체 스택에서 획득한 마이크로 코로나 - 켈빈 데이터를 제시합니다. 구체적으로, 패턴화된 웨이퍼에서 측정된 마이크로 SASS(Self adjusting Steady State) 전압 데이터를 블랭킷 ZAZ 유전체 스택에서 유사하게 획득한 데이터와 비교합니다. 이 비교를 통해 액티브 영역 마이크로 SASS 전압을 ZAZ 유전체 스택 정전용량에 비례하는 것으로 해석하는 모델을 공식화했습니다. 다양한 공정 편차에 대한 민감도를 보여주는 생산 기준선 측정을 통해 해당 방법과 그에 수반되는 모델을 검증합니다. 인라인 액티브 셀 영역 마이크로 SASS 데이터와 공정 후단 전기 파라메트릭 측정 정전용량 및 항복 전압 데이터를 비교하여 추가 검증을 수행하였습니다. 또한 액티브 장치 영역에서 코로나 충전 및 측정을 포함하는 방법이 최종 장치 수율에 부정적인 영향을 미치지 않음을 입증했습니다.