질화 실리콘 산화막 및 고유전율 게이트 유전체의 인라인 비파괴 전기적 계측

0.13 μm 이하 공정에 사용되는 유전체의 특성을 측정하기 위해서는 높은 감도와 정확도, 정밀도를 갖춘 측정 방법이 요구됩니다. 특히 게이트 유전체의 전기적 특성 모니터링이 매우 중요합니다. 박막 유전체의 전기적 특성은 오염이나 손상을 유발하지 않는 새로운 탄성 프로브를 이용하여 평가합니다. 이 프로브는 유전체 표면에 약 30~50 μm 직경의 Elastic Metal 게이트(EM-gate)를 형성합니다. 이후 정전용량-전압(C-V), 컨덕턴스-전압(G-V), 전류-전압(I-V) 기법을 활용한 전기적 측정을 수행합니다. 이를 통해 유전체 두께 및 품질, 누설 전류, Si-Si‐SiO₂ 계면 품질, 채널 캐리어 밀도 분포에 대한 중요한 정보를 얻을 수 있습니다.

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