전구체 가스 비율과 소성 공정이 APCVD 알루미늄 산화물에 의한 실리콘 표면 패시베이션에 미치는 영향

처리량이 높은 인라인 대기 화학 기상 증착(APCVD) 도구를 사용하여 트리메틸 알루미늄(TMA)과 O₂를 전구체로 사용해 비정질 알루미늄 산화막(AlO_x)을 합성하며, 웨이퍼당 최대 150nm min^–1의 증착 속도를 달성합니다. p형 결정질 실리콘(c-Si) 웨이퍼의 경우 APCVD AlO_x 박막을 적용한 결과, 표준 산업용 소성 단계 이후 최대 유효 표면 재결합 속도(S_eff,max)가 8cm/s에 이르는 우수한 표면 패시베이션 특성을 확보합니다. 이러한 결과는 박막 내에 큰 음의 고정 전하(Q_f ≈ –3 × 10¹²cm^–2)와 낮은 계면 결함 밀도(D_it ≈ 4 × 10¹¹ eV^–1cm^–2)가 형성되기 때문으로 설명됩니다. 이 데이터는 APCVD AlO_x가 고효율, 저비용 산업용 태양전지에 적용될 수 있는 높은 잠재력을 가짐을 보여줍니다. (© 2013 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)