비접촉식 SASS 기법을 이용한 고유전율 유전체 특성 분석

펄스 코로나 충전을 기반으로 한 비접촉식 고유전율(high-k) 모니터링 기법과 진동형 CPD 프로브를 이용한 시간 분해 전압 측정을 결합하여, p형 실리콘 위에 원자층 증착으로 형성된 HfO₂ 적층막에 적용하였습니다. 본 접근법은 터널링 영역에서의 고전계 전류 측정과 C-V 유형 측정을 결합할 수 있음을 보입니다. 이러한 두 측정의 결합을 통해 게이트 유전체의 정량적 특성 분석이 가능하며, 등가 산화막 두께(EOT)와 유전체 누설 전류를 로그 스케일로 나타낸 누설 지표(LI)를 산출할 수 있습니다. 또한 다양한 HfO₂ 두께 조건에 적용한 결과, 중간층의 EOT, HfO₂의 유전율, 그리고 HfO₂의 전도대 오프셋을 도출할 수 있습니다.