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초박막 이온 주입(USJ) 공정의 계측에 접합 광전압(JPV) 기법을 적용하는 연구는 이미 잘 보고되어 있습니다. 본 논문에서는 표면으로부터 전기적으로 절연된 전기 활성층을 형성하는 이온 주입 공정을 제어하기 위한 JPV 기법의 적용을 보고합니다. 이러한 구조에서는 4점 탐침(4PP) 계측이 신뢰성이 낮거나 적용이 불가능합니다. 본 논문에서는 두 가지 공정을 특성화하기 위해 최적화된 JPV 기법을 이용한 결과를 제시합니다. 첫째, 스크린 산화막을 통해 이온을 주입한 후 열처리를 수행하는 CMOS 공정이며, 둘째, n형 도핑된 기판에 MeV급 고에너지 p형 이온 주입을 수행한 후 열처리를 진행하는 공정입니다. 오차와 필요한 보정 요소를 고려할 경우, JPV 기법은 추가 공정 단계 없이도 이러한 구조에 대해 정확한 고해상도 매핑을 가능하게 합니다. 또한 JPV 측정 결과는 파괴 분석 기반의 오프라인 분석 장비 결과와 상관성을 보이는 것으로 확인됩니다.